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【ITBEAR科技资讯】8月9日消息，近日，韩国半导体制造巨头SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“2023闪存峰会”上宣布了令人瞩目的技术突破。据了解，SK海力士公布了其最新研发的321层1TB TLC 4D NAND闪存的进展情况，并展示了目前开发阶段的样品。

作为业界领先者，SK海力士成为首家披露300层以上NAND技术进展的公司。该公司表示，他们将在238层NAND的基础上进一步推进321层NAND的研发，旨在在2025年上半年开始量产。据SK海力士相关负责人透露：“我们在已经量产的238层NAND的技术积累上，有序地推进着321层NAND的研发工作，为即将到来的300层NAND时代做好充分准备，继续引领市场潮流。”

这项新技术的优势在于，相比上一代的238层512Gb NAND，321层1TB TLC NAND的效率提升了59%。这一成就得益于数据存储单元的更多堆叠，使得在同一芯片上实现了更大的存储容量，同时也提高了每个晶圆上芯片的产出数量。

据ITBEAR科技资讯了解，随着生成型人工智能市场的不断蓬勃发展，对于高性能、高容量存储器的需求也在迅速增加。在这次峰会上，SK海力士还推出了面向这些需求的下一代NAND产品解决方案，其中包括采用PCIe 5(Gen5)接口的企业级固态硬盘(eSSD)和UFS 4.0。这些产品将提供世界级领先性能，以满足追求高性能的客户的需求。

此外，SK海力士还表示，基于目前的产品技术积累以及不断优化的企业内部解决方案，他们正在积极研发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，旨在未来继续引领市场趋势。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在他的主题演讲中表示：“通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品，我们将进一步巩固品牌在NAND技术领域的领先地位。公司将致力于推出适应人工智能时代需求的高性能、大容量NAND产品，继续引领行业的发展。”

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